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      漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      300

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      360

      最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      11

      驱动（dòng）电压（yā）(V)：

      10

      通道极性（xìng）：

      N沟（gōu）道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-220-3/-55~125

      描述：

      650V，360mΩ，11A，N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET



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